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Jun 17, 2023

O tamanho do mercado global de transistores de alta mobilidade de elétrons (HEMT) deve exceder US$ 16,82 bilhões até 2032

O tamanho do mercado global de transistores de alta mobilidade de elétrons foi avaliado em US$ 7,51

O tamanho do mercado global de transistores de alta mobilidade eletrônica foi avaliado em US$ 7,51 bilhões em 2022 e o mercado mundial de transistores de alta mobilidade eletrônica deve atingir US$ 16,82 bilhões até 2032, de acordo com um relatório de pesquisa publicado pela Spherical Insights & Consulting. Empresas abrangidas: Ampleon, Mitsubishi Electric, Fujitsu, TOSHIBA, Infineon, Renesas Electronics, Cree, Qorvo, Microsemi, Wolfspeed, Lake Shore Cryotronics, ST Microelectronics, Texas Instruments, Oki Electric e entre outras.

Nova York, Estados Unidos, 01 de junho de 2023 (GLOBE NEWSWIRE) -- TheTamanho do mercado global de High Electron Mobility Transistor (HEMT) deve crescer de US$ 7,51 bilhões em 2022 para US$ 16,82 bilhões em 2032, a uma taxa composta de crescimento anual (CAGR) de 8,4% durante o período projetado. Espera-se que a crescente adoção de semicondutores de energia para alta confiabilidade e alta eficiência em vários setores, incluindo eletrônicos de consumo, automotivo, industrial, aeroespacial e de defesa, e outros, aumente a demanda pelo mercado de transistores de alta mobilidade eletrônica durante o período de previsão.

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O Transistor de Alta Mobilidade Eletrônica, ou HEMT, é um tipo de transistor de efeito de campo (FET) com uma taxa de ruído extremamente baixa e altos níveis de eficiência em frequências de micro-ondas. Arseneto de Gálio e Alumínio (AlGaAs) e Arseneto de Gálio (GaAs) foram dois dos materiais mais frequentemente usados ​​na fabricação de transistores de alta mobilidade eletrônica. Os transistores de alta mobilidade eletrônica, que podem operar em frequências de comprimento de onda milimétricas, são usados ​​em dispositivos de alta frequência, como telefones celulares, receptores de TV via satélite, dispositivos de conversão de energia e sistemas de detecção de radar. A crescente demanda do consumidor por produtos eletrônicos de consumo, bem como a crescente demanda por sistemas de energia econômicos, estão entre as principais tendências que impulsionam o aumento do mercado de transistores de alta mobilidade de elétrons. Os transistores de alta mobilidade eletrônica são produzidos pela grande maioria dos fabricantes de dispositivos semicondutores em todo o mundo. Eles podem ser transistores discretos, mas são mais comumente vistos em circuitos integrados hoje em dia. Além disso, impulsionadores importantes que levam ao crescimento do mercado global de transistores de alta mobilidade de elétrons são maiores gastos com dispositivos HEMT, crescimento e desenvolvimento e avanços tecnológicos no setor de transistores de alta mobilidade de elétrons.

Navegue pelas principais informações do setor espalhadas por 200 páginas com 120 tabelas de dados de mercado e figuras e gráficos do relatório sobre" Tamanho do mercado global de Transistor de alta mobilidade eletrônica (HEMT), participação e análise de impacto do COVID-19, por tipo (Nitreto de gálio (GaN), Carboneto de silício (SiC), Arseneto de gálio (GaAs), outros), por usuários finais ( Eletrônicos de consumo, automotivo, industrial, aeroespacial e de defesa, outros) e por região (América do Norte, Europa, Ásia-Pacífico, América Latina, Oriente Médio e África), Análise e Previsão 2022 – 2032."Obtenha a descrição detalhada do relatório aqui:

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O segmento de Nitreto de Gálio (GaN) está dominando o mercado com a maior participação na receita durante o período de previsão.

Com base no tipo, o mercado global de transistores de alta mobilidade eletrônica é segmentado em nitreto de gálio (GaN), carboneto de silício (SiC), arseneto de gálio (GaAs) e outros. Entre eles, o segmento de Nitreto de Gálio (GaN) está dominando o mercado com a maior participação de receita de 48,6% durante o período de previsão. Em contraste com as tecnologias tradicionais, como Silício (SI) ou Arseneto de Gálio (GaAs), os dispositivos HEMT mais intrigantes hoje contam com Nitreto de Gálio (GaN), um material que fornece alta qualidade, alta densidade de potência e grande transmissão ampla.

O segmento de eletrônicos de consumo representou a maior participação na receita de mais de 36,2% durante o período de previsão.