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100A 30V N-Channel Enhancement Power Mosfet 30h10K to-252b
100A 30V N-channel Enhancement Power MOSFET 1 Description Estes VDMOSFETs aprimorados de canal N usaram design de tecno
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Informação básica
| Modelo Nº. | 30H10K |
| Número do lote | 2021 |
| Marca | wxdh |
| Pacote de transporte | Fita, Carretel |
| Marca comercial | WXDH |
| Origem | Wuxi, China |
| Código HS | 8541290000 |
Descrição do produto
100A 30V N-channel Enhancement Power MOSFET
1 Descrição
Esses VDMOSFETs aprimorados de canal N usados
design avançado de tecnologia de trincheira, forneceu excelente
RDSON e baixa carga de porta. O que está de acordo com o
Norma RoHS.
| Características |
| Troca rápida |
| Baixa resistência ON (Rdson≤0,55mΩ) |
| Baixa carga de porta (tipo: 43nC) |
| Baixas capacitâncias de transferência reversa (Típico: 215pF) |
| Teste de energia de avalanche de pulso único 100% |
| 100% VDSTeste |
| Formulários |
| Aplicações de comutação de energia |
| Sistema de gerenciamento do inversor |
| ferramentas elétricas |
| Eletrônica automotiva |
| PARÂMETRO | SÍMBOLO | VALOR | UNIDADE | ||
| 30H10/30H10I/30H10E/30H10K/30H10B | 30H10F | ||||
| Tensão CC Máxima da Fonte Drian | VDS | 30 | V | ||
| Tensão máxima de dreno de portão | VGS | ±20 | V | ||
| Corrente de Drenagem (contínua) | EUD(T=25ºC) | 100 | A | ||
| (T=100ºC) | 70 | A | |||
| Corrente de Drenagem (Pulsada) | EUDM | 280 | A | ||
| Energia de Avalanche de Pulso Único | ECOMO | ||||
