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5A 200V N-Channel Enhancement Power Mosfet B5n20 to-251
5A 200V N-Channel Enhancement Power Mosfet B5n20 to-251
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Informação básica
| Modelo Nº. | B5N20 |
| Número do lote | 2022 |
| Marca | wxdh |
| Pacote de transporte | Tubo |
| Marca comercial | WXDH |
| Origem | Wuxi, China |
| Código HS | 8541290000 |
Descrição do produto
| PARÂMETRO | SÍMBOLO | VALOR | UNIDADE | ||
| 5N20/I5N20/E5N20/B5N20/D5N20 | F5N20 | ||||
| Tensão da fonte seca | VDS | 200 | V | ||
| Tensão de dreno de portão | VGS | ±30 | V | ||
| Corrente de Drenagem (contínua) | EUD(T=25ºC) | 5 | A | ||
| (T=100ºC) | 3.4 | A | |||
| Corrente de Drenagem (Pulsada) | EUDM | 20 | A | ||
| Energia de Avalanche de Pulso Único | ECOMO | 125 | mJ | ||
| Recuperação de diodo de pico dv/dt | dv/dt | 5 | V/ns | ||
| Dissipação Total | Ta=25ºC | tomada de força | 2 | 2 | C |
| CT=25ºC | tomada de força | 40 | 20 | C | |
| Temperatura de Junção | Tj | -55~150 | C | ||
| temperatura de armazenamento | Tstg | -55~150 | C | ||
| Características |
| Troca rápida |
| Baixa resistência ON (Rdson≤0,65Ω) |
| Baixa carga de porta (tipo: 7nC) |
| Baixas capacitâncias de transferência reversa (Típico: 8pF) |
