7,5A 600V N-Channel Enhancement Power Mosfet F8n60 to-220f

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DESCRIÇÃO

Informação básica
Modelo Nº.F8n60
Número do lote2021
Marcawxdh
Pacote de transporteTubo
Marca comercialWXDH
OrigemWuxi, China
Código HS8541290000
Descrição do produto

7.5A 600V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F8n60 to-220f

7.5A 600V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F8n60 to-220f

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Descrição
Esses VDMOSFETs aprimorados de canal N são obtidos pela tecnologia planar auto-alinhada que reduz a perda de condução, melhora o desempenho de comutação e aumenta a energia de avalanche. Que está de acordo com o padrão RoHS.
PARÂMETROSÍMBOLOVALORUNIDADE
8N60/I8N60/E8N60/B8N60/D8N60F8N60
Tensão CC Máxima da Fonte DrianVDS600V
Tensão máxima de dreno de portãoVGS±30V
Corrente de Drenagem (contínua)EUD(T=25ºC)7.5A
(T=100ºC)4.8A
Corrente de Drenagem (Pulsada)EUDM30A
Energia de Avalanche de Pulso ÚnicoECOMO400mJ
Recuperação de diodo de pico dv/dtdv/dt5V/ns
Dissipação TotalTa=25ºCtomada de força22C
CT=25ºCtomada de força10035C
Temperatura de JunçãoTj150C

7.5A 600V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F8n60 to-220f