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Alta Tensão Gc11n65K Super Junção Mosfet Transistor 650V 11A
Visão geral Descrição do produto Alta tensão GC11N65K Super junção Mosfet Transistor 650V 11A Eficiência: Maior eficiênc
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Informação básica
Modelo Nº. | GC11N65K |
Material | Silício |
Vdss | 650V |
EU IA | 11A |
RDS | 360 Sr. |
Pd | 78 W |
Pacote | to-220 |
Estoque | em estoque |
Amostra | Disponível |
Status Livre de Leads | Livre de Pb |
Spq | 2500PCS/Roel |
Pacote de transporte | Tubo |
Marca comercial | CONFORTO |
Origem | China |
Código SH | 8541290000 |
Descrição do produto
Alta tensão GC11N65K Super junção Mosfet Transistor 650V 11A
Eficiência: Maior eficiência de carga leve em carga total, Rdson e Qg ultrabaixos, reduzem efetivamente a perda; Aumento de baixa temperatura: menor consumo de energia, reduz efetivamente a temperatura geral de trabalho da fonte de alimentação, prolonga a vida útil da fonte de alimentação; Alta estabilidade: processo de fabricação planar, forte capacidade EAS, em comparação com o processo de ranhura SJ MOS para fornecer proteção mais eficaz contra choque de energia, melhorando muito a estabilidade em altas temperaturas. Melhor desempenho de EMI.
Número da peça | GC11N65k |
VDSS | 650V |
EU IA | 11A |
RDS | 360mΩ @ vgs = 10V |
Vº | 2,5~4V |
Pacote | TO-220 |
ciss | 901 pF |
Crss | 5,5 pF |
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