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IGBT Trench 1200 V 30 a 235 W Orifício de passagem Pg-To247-3-1 Produtos semicondutores discretostransistores - Igbts - Simples Ikw15n120t2

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Capacitor cerâmico X2 184/630V P15 6um

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Alta tensão, alto Q, baixa indutância Mlcc Chip capacitor multicamada de cerâmica de valor fixo 15kv 222 2.2NF 0.0022UF para aplicações automotivas/industriais/de consumo

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36V LiFePO4 BMS 12s 15A-60A 18650 Bateria BMS Packs PCB Placa de proteção Circuitos integrados de equilíbrio

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Capacitores Cerâmicos Multicamadas 0402N470J500CT 0402 47PF 50V NPO 5%

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Capacitores Cerâmicos Multicamadas 0805B473K101CT 0805 47NF 100V X7R 10%

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IGBT Trench 1200 V 30 a 235 W Orifício de passagem Pg-To247-3-1 Produtos semicondutores discretostransistores - Igbts - Simples Ikw15n120t2

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Visão geral IGBT Trench 1200 V 30 A 235 W Através do orifício PG-TO247-3-1 Produtos semicondutores discretos Transistore

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DESCRIÇÃO

Informação básica
Modelo Nº.IKW15N120T2
formaPlano
AplicativoCircuito integrado generalizado padrão
Tipo condutivoCircuito Integrado Bipolar
Pacote de transporteFita e Carretel (Tr)
OrigemOriginal
Código HS8542399000
Capacidade de produção10000 fotos/meses
Descrição do produto
IGBT Trench 1200 V 30 A 235 W Orifício de passagem PG-TO247-3-1 Produtos semicondutores discretos Transistores - IGBTs - Simples IKW15N120T2
Número do modeloTODOS os modelos disponíveis
TipoCircuito Integrado, Microcontrolador, Diodos, Sensores, Transistores, etc.
Lugar de origemChina, EUA, KR, Malásia, Taiwan China, HK China, etc.
MarcaTodas as marcas
PacoteSim
Nome do ProdutoCircuitos integrados
Item ComercialEXW\FOB\...
Ficha de dadosPlz Gerente de contato
E-mail BOMPlz Gerente de contato
EnvioHL\UPS\Fedex\TNT\EMS\ePacket
Tempo de espera1-3 dias úteis
DoençaNovo
Descrição do produto

IGBT Trench 1200 V 30 a 235 W Through Hole Pg-To247-3-1 Discrete Semiconductor Productstransistors - Igbts - Single Ikw15n120t2

IGBT Trench 1200 V 30 a 235 W Through Hole Pg-To247-3-1 Discrete Semiconductor Productstransistors - Igbts - Single Ikw15n120t2

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