Transistor SMD G16p03D3 Dfn3X3-8L -30V -16A P Mosfet de efeito de campo do canal

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Visão geral Descrição do produto Transistor smd G16P03D3 DFN3X3-8L -30V -16A P channel Field Effect mosfet Ficha técnic

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DESCRIÇÃO

Informação básica
Modelo Nº.G16P03D3
MaterialSilício
Vdss-30V
EU IA-16A
RDS11,5mr
Pd3W
Pacotedfn3*3
Estoqueem estoque
AmostraDisponível
Status Livre de LeadsLivre de Pb
Spq4000PCS/Roel
Pacote de transporteCarretel, com Saco de Folha de Alumínio Antiestático
Marca comercialCONFORTO
OrigemChina
Código HS8541290000
Descrição do produto

transistor smd G16P03D3 DFN3X3-8L -30V -16A P canal mosfet de efeito de campo

Número da peçaG16P03D3
VDSS-30V
EU IA-16A
RDS11,5mΩ @ vgs = 4,5V
-1,5V
PacoteDFN3*3
ciss1995 pF
Crss260 pF
Ficha de dados

SMD Transistor G16p03D3 Dfn3X3-8L -30V -16A P Channel Field Effect Mosfet

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